Overview of factory directly 4N (99.99%) purity HIP method Ti target Titanium sputtering target
টাইটানিয়াম (এর) পারমাণবিক সংখ্যা সহ একটি রাসায়নিক উপাদান 22 এবং পর্যায় সারণিতে Ti হিসাবে প্রতীকী. এটি ট্রানজিশন ধাতু গ্রুপের অন্তর্গত এবং এর কম ঘনত্বের জন্য পরিচিত, উচ্চ শক্তি থেকে ওজন অনুপাত, এবং ব্যতিক্রমী জারা প্রতিরোধের. মধ্যে আবিষ্কৃত 1791 উইলিয়াম গ্রেগর দ্বারা, বৈশিষ্ট্যের অনন্য সমন্বয়ের কারণে টাইটানিয়াম অসংখ্য শিল্প জুড়ে একটি গুরুত্বপূর্ণ উপাদান হয়ে উঠেছে.
Feature of factory directly 4N (99.99%) purity HIP method Ti target Titanium sputtering target
-
কম ঘনত্ব এবং উচ্চ শক্তি: টাইটানিয়াম সম্পর্কে 45% ইস্পাতের চেয়ে হালকা কিন্তু একই শক্তির অধিকারী, এটিকে এমন অ্যাপ্লিকেশনের জন্য আদর্শ করে যেখানে শক্তির সাথে আপস না করে ওজন হ্রাস করা গুরুত্বপূর্ণ.
-
জারা প্রতিরোধের: এটি একটি প্যাসিভ অক্সাইড স্তর গঠন করে যা অন্তর্নিহিত ধাতুকে ক্ষয়কারী পদার্থ থেকে রক্ষা করে, সমুদ্রের জল এবং ক্লোরিন সহ, এটি জারা থেকে অত্যন্ত প্রতিরোধী তৈরীর.
-
বায়োকম্প্যাটিবিলিটি: টাইটানিয়াম মানব শরীর দ্বারা ভালভাবে সহ্য করা হয় এবং বিরূপ প্রতিক্রিয়া সৃষ্টি করে না, যে কারণে এটি ব্যাপকভাবে চিকিৎসা ইমপ্লান্ট এবং অস্ত্রোপচার যন্ত্রে ব্যবহৃত হয়.
-
তাপ প্রতিরোধের: 1,668°C এর গলনাঙ্ক সহ (3,034°ফা), টাইটানিয়াম উচ্চ তাপমাত্রা সহ্য করতে পারে, এটি মহাকাশ এবং স্বয়ংচালিত অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত করে তোলে.
-
অ-চুম্বকীয় এবং অ-বিষাক্ত: এই বৈশিষ্ট্যগুলি এমআরআই মেশিন এবং অন্যান্য সংবেদনশীল ইলেকট্রনিক ডিভাইসে অ্যাপ্লিকেশনের জন্য টাইটানিয়ামকে আদর্শ করে তোলে.
-
ক্লান্তি প্রতিরোধ: টাইটানিয়াম ধাতব ক্লান্তির জন্য চমৎকার প্রতিরোধ প্রদর্শন করে, সাইক্লিক লোডিং অ্যাপ্লিকেশন যেমন বিমানের যন্ত্রাংশে গুরুত্বপূর্ণ.
.
(factory directly 4N (99.99%) purity HIP method Ti target Titanium sputtering target)
Parameters of factory directly 4N (99.99%) purity HIP method Ti target Titanium sputtering target
The “direct 4N purityHIP method” for Ti target and titanium sputtering target is a highly efficient and effective technique that can achieve extremely high purity levels in Ti. This process typically involves the use of a mixture of plasma sources, including a direct beam source and a high energy ion source, to create Ti targets with very low impurities.
The purity level of the Ti target can be significantly improved by using the HIP method, which involves heating the Ti target to extremely high temperatures, creating a plasma pool at the surface of the target. The plasma is then bombarded with ions from a higher-energy source, such as a neutral gas or a special cathode gas, which combine with the plasma to form titanium ions. These titanium ions are then collected and terminated onto the surface of the Ti target, resulting in a highly pure Ti target.
In addition to improving the purity of the Ti target, the HIP method also provides several other advantages over traditional techniques, such as better control over the ionization conditions and higher efficiency in the removal of impurities. By carefully selecting and optimizing the parameters used in this process, it is possible to achieve high purity levels even in cases where impurities may accumulate at the surface of the Ti target.
(factory directly 4N (99.99%) purity HIP method Ti target Titanium sputtering target)
কোম্পানির প্রোফাইল
মেটাল মমি একটি বিশ্বস্ত বিশ্বস্ত রাসায়নিক উপাদান সরবরাহকারী & সুপার উচ্চ-মানের তামা এবং আত্মীয় পণ্য সরবরাহ করার ক্ষেত্রে 12 বছরেরও বেশি অভিজ্ঞতা সম্পন্ন প্রস্তুতকারক.
কোম্পানির একটি পেশাদার প্রযুক্তিগত বিভাগ এবং গুণমান তত্ত্বাবধান বিভাগ রয়েছে, একটি সুসজ্জিত পরীক্ষাগার, এবং উন্নত পরীক্ষার সরঞ্জাম এবং বিক্রয়োত্তর গ্রাহক পরিষেবা কেন্দ্র দিয়ে সজ্জিত.
আপনি যদি উচ্চ মানের ধাতু পাউডার এবং আপেক্ষিক পণ্য খুঁজছেন, অনুগ্রহ করে আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন বা একটি তদন্ত পাঠাতে প্রয়োজনীয় পণ্যগুলিতে ক্লিক করুন.
পেমেন্ট পদ্ধতি
এল/সি, টি/টি, ওয়েস্টার্ন ইউনিয়ন, পেপ্যাল, ক্রেডিট কার্ড ইত্যাদি.
চালান
এটি সমুদ্রপথে পাঠানো যেতে পারে, বায়ু দ্বারা, অথবা পরিশোধের রশিদ পাওয়ার সাথে সাথে যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রকাশ করুন.
FAQ
(factory directly 4N (99.99%) purity HIP method Ti target Titanium sputtering target)
