Overview of Whole titanium sputtering target
ಟೈಟಾನಿಯಂ (ಆಫ್) ಪರಮಾಣು ಸಂಖ್ಯೆಯೊಂದಿಗೆ ರಾಸಾಯನಿಕ ಅಂಶವಾಗಿದೆ 22 ಮತ್ತು ಆವರ್ತಕ ಕೋಷ್ಟಕದಲ್ಲಿ Ti ಎಂದು ಸಂಕೇತಿಸಲಾಗಿದೆ. ಇದು ಪರಿವರ್ತನೆಯ ಲೋಹಗಳ ಗುಂಪಿಗೆ ಸೇರಿದೆ ಮತ್ತು ಅದರ ಕಡಿಮೆ ಸಾಂದ್ರತೆಗೆ ಹೆಸರುವಾಸಿಯಾಗಿದೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿ-ತೂಕದ ಅನುಪಾತ, ಮತ್ತು ಅಸಾಧಾರಣ ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕತೆ. ನಲ್ಲಿ ಕಂಡುಹಿಡಿಯಲಾಗಿದೆ 1791 ವಿಲಿಯಂ ಗ್ರೆಗರ್ ಅವರಿಂದ, ಟೈಟಾನಿಯಂ ಅದರ ವಿಶಿಷ್ಟ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳ ಸಂಯೋಜನೆಯಿಂದಾಗಿ ಹಲವಾರು ಕೈಗಾರಿಕೆಗಳಲ್ಲಿ ಪ್ರಮುಖ ವಸ್ತುವಾಗಿದೆ.
Feature of Whole titanium sputtering target
-
ಕಡಿಮೆ ಸಾಂದ್ರತೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: ಟೈಟಾನಿಯಂ ಸುಮಾರು 45% ಉಕ್ಕಿಗಿಂತ ಹಗುರ ಆದರೆ ಒಂದೇ ರೀತಿಯ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಸಾಮರ್ಥ್ಯಕ್ಕೆ ಧಕ್ಕೆಯಾಗದಂತೆ ತೂಕ ಕಡಿತವು ನಿರ್ಣಾಯಕವಾಗಿರುವ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ಗಳಿಗೆ ಇದು ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ.
-
ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕತೆ: ಇದು ನಿಷ್ಕ್ರಿಯ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಪದರವನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ ಅದು ಆಧಾರವಾಗಿರುವ ಲೋಹವನ್ನು ನಾಶಕಾರಿ ವಸ್ತುಗಳಿಂದ ರಕ್ಷಿಸುತ್ತದೆ, ಸಮುದ್ರದ ನೀರು ಮತ್ತು ಕ್ಲೋರಿನ್ ಸೇರಿದಂತೆ, ಇದು ತುಕ್ಕುಗೆ ಹೆಚ್ಚು ನಿರೋಧಕವಾಗಿಸುತ್ತದೆ.
-
ಜೈವಿಕ ಹೊಂದಾಣಿಕೆ: ಟೈಟಾನಿಯಂ ಮಾನವ ದೇಹದಿಂದ ಚೆನ್ನಾಗಿ ಸಹಿಸಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಪ್ರತಿಕೂಲ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳಿಗೆ ಕಾರಣವಾಗುವುದಿಲ್ಲ, ಅದಕ್ಕಾಗಿಯೇ ಇದನ್ನು ವೈದ್ಯಕೀಯ ಇಂಪ್ಲಾಂಟ್ಗಳು ಮತ್ತು ಶಸ್ತ್ರಚಿಕಿತ್ಸಾ ಉಪಕರಣಗಳಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.
-
ಶಾಖ ನಿರೋಧಕತೆ: 1,668°C ಕರಗುವ ಬಿಂದುವಿನೊಂದಿಗೆ (3,034°F), ಟೈಟಾನಿಯಂ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನವನ್ನು ತಡೆದುಕೊಳ್ಳಬಲ್ಲದು, ಇದು ಏರೋಸ್ಪೇಸ್ ಮತ್ತು ಆಟೋಮೋಟಿವ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ಗಳಿಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ.
-
ಕಾಂತೀಯವಲ್ಲದ ಮತ್ತು ವಿಷಕಾರಿಯಲ್ಲದ: ಈ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು ಎಂಆರ್ಐ ಯಂತ್ರಗಳು ಮತ್ತು ಇತರ ಸೂಕ್ಷ್ಮ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸಾಧನಗಳಲ್ಲಿನ ಅನ್ವಯಗಳಿಗೆ ಟೈಟಾನಿಯಂ ಅನ್ನು ಸೂಕ್ತವಾಗಿಸುತ್ತದೆ.
-
ಆಯಾಸ ನಿರೋಧಕತೆ: ಟೈಟಾನಿಯಂ ಲೋಹದ ಆಯಾಸಕ್ಕೆ ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸುತ್ತದೆ, ವಿಮಾನದ ಭಾಗಗಳಂತಹ ಆವರ್ತಕ ಲೋಡಿಂಗ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ಗಳಲ್ಲಿ ನಿರ್ಣಾಯಕ.
.
(Whole titanium sputtering target)
Parameters of Whole titanium sputtering target
The parameters of a whole titanium sputtering target refer to the factors that influence the performance and behavior of the target during sputtering processes. Some of the key parameters include:
1. Cross-section area: The cross-sectional area of the target determines its surface area, which affects the number of ions that can be impinging on it per unit time.
2. Critical current density: The critical current density is the minimum amount of current needed for ionization and deposition to occur at a given temperature. It is an important parameter for controlling the rate of sputtering processes.
3. Sputtering velocity: The sputtering velocity determines how quickly ions with different energies and charges can collide with the target. A higher sputtering velocity results in faster ionization and deposition rates.
4. Temperature: The temperature of the target determines the rate of sputtering and the properties of the deposited layer. Higher temperatures result in more rapid sputtering and deposition, but may also lead to greater thermal stress and damage to the material being sputtered.
5. Characteristic sputtering parameters: These are specific characteristics of the sputtering process that depend on the above parameters, such as the deposition rate, grain size, and purity of the deposited layer.
6. Beam profile: The beam profile of the sputtering beam is also important, as it affects the diffraction pattern of the deposited layer and can affect the thickness of the deposit.
ಒಟ್ಟಾರೆ, understanding these parameters is crucial for optimizing the performance of a whole titanium sputtering target and achieving desired properties for industrial applications.
(Whole titanium sputtering target)
ಕಂಪನಿಯ ವಿವರ
ಮೆಟಲ್ ಮಮ್ಮಿ ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹ ಜಾಗತಿಕ ರಾಸಾಯನಿಕ ವಸ್ತುಗಳ ಪೂರೈಕೆದಾರ & ಸೂಪರ್ ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟದ ತಾಮ್ರ ಮತ್ತು ಸಂಬಂಧಿ ಉತ್ಪನ್ನಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುವಲ್ಲಿ 12 ವರ್ಷಗಳ ಅನುಭವ ಹೊಂದಿರುವ ತಯಾರಕ.
ಕಂಪನಿಯು ವೃತ್ತಿಪರ ತಾಂತ್ರಿಕ ವಿಭಾಗ ಮತ್ತು ಗುಣಮಟ್ಟ ಮೇಲ್ವಿಚಾರಣೆ ವಿಭಾಗವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಒಂದು ಸುಸಜ್ಜಿತ ಪ್ರಯೋಗಾಲಯ, ಮತ್ತು ಸುಧಾರಿತ ಪರೀಕ್ಷಾ ಉಪಕರಣಗಳು ಮತ್ತು ಮಾರಾಟದ ನಂತರದ ಗ್ರಾಹಕ ಸೇವಾ ಕೇಂದ್ರವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ.
ನೀವು ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟದ ಲೋಹದ ಪುಡಿ ಮತ್ತು ಸಂಬಂಧಿತ ಉತ್ಪನ್ನಗಳನ್ನು ಹುಡುಕುತ್ತಿದ್ದರೆ, ದಯವಿಟ್ಟು ನಮ್ಮನ್ನು ಸಂಪರ್ಕಿಸಲು ಮುಕ್ತವಾಗಿರಿ ಅಥವಾ ವಿಚಾರಣೆಯನ್ನು ಕಳುಹಿಸಲು ಅಗತ್ಯವಿರುವ ಉತ್ಪನ್ನಗಳ ಮೇಲೆ ಕ್ಲಿಕ್ ಮಾಡಿ.
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನಗಳು
ಎಲ್/ಸಿ, ಟಿ/ಟಿ, ವೆಸ್ಟರ್ನ್ ಯೂನಿಯನ್, ಪೇಪಾಲ್, ಕ್ರೆಡಿಟ್ ಕಾರ್ಡ್ ಇತ್ಯಾದಿ.
ಸಾಗಣೆ
ಇದನ್ನು ಸಮುದ್ರದ ಮೂಲಕ ರವಾನಿಸಬಹುದು, ಗಾಳಿಯ ಮೂಲಕ, ಅಥವಾ ಮರುಪಾವತಿಯ ರಸೀದಿಯನ್ನು ತಕ್ಷಣವೇ ಬಹಿರಂಗಪಡಿಸುವ ಮೂಲಕ.
FAQ
(Whole titanium sputtering target)
